公开/公告号CN102683390B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 飞兆半导体公司;
申请/专利号CN201210072092.5
发明设计人 迪安·E·普罗布斯特;
申请日2012-03-16
分类号H01L29/40(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人浦彩华;姚开丽
地址 美国亚利桑那州
入库时间 2022-08-23 10:37:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-30
授权
授权
2018-05-11
著录事项变更 IPC(主分类):H01L29/40 变更前: 变更后: 申请日:20120316
著录事项变更
2018-05-11
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/40 变更前: 变更后: 申请日:20120316
著录事项变更
2014-04-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/40 申请日:20120316
实质审查的生效
2014-04-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20120316
实质审查的生效
2014-04-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20120316
实质审查的生效
2012-09-19
公开
公开
2012-09-19
公开
公开
2012-09-19
公开
公开
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机译： 屏蔽栅MOSFET器件中的多晶硅间电介质
机译： -屏蔽栅极MOSFET器件中的极间电介质
机译： 屏蔽栅极MOSFET器件中的极间电介质
