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一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法

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本发明公开了一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将NMOS有源区移动的距离记为L；将栅极长度减小L，使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致；恢复衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接。采用本发明加固后的集成电路版图在粒子轰击NMOS晶体管时，可以加快NMOS晶体管中粒子沉积电荷的释放，减小单粒子瞬态脉宽；且本发明仅涉及晶体管版图位置的改变，没有面积开销。

著录项

公开/公告号CN106876383B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-09

原文格式PDF
申请/专利权人中国人民解放军国防科学技术大学;
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申请/专利号CN201710001483.0
发明设计人陈书明;吴振宇;梁斌;胡春媚;池雅庆;陈建军;黄鹏程;宋睿强;张健;刘蓉容;
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申请日2017-01-03
分类号
代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙);
代理人赵洪
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学计算机学院
入库时间 2022-08-23 10:37:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-09

授权

授权
2017-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20170103

实质审查的生效
2017-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20170103

实质审查的生效
2017-06-20

公开

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2017-06-20

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2017-06-20

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