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一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法

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本发明公开了一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。本发明的方法包括步骤：S1，采用微区Raman光谱仪，选择Raman光谱测试模式，设定Raman光谱的测试参数，对CaF₂光学元件的聚焦区域进行Raman光谱测试；S2，微区Raman光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试；S3，对所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。本发明提供的CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法能提高检测的精度和准确性。

著录项

公开/公告号CN106404745B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-10

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
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申请/专利号CN201611047901.1
发明设计人邓文渊;金春水;靳京城;李春;
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申请日2016-11-24
分类号G01N21/65(20060101);G01N21/64(20060101);
代理机构44316 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人赵勍毅
地址 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
入库时间 2022-08-23 10:39:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-10

授权

授权
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/65 申请日:20161124

实质审查的生效
2017-03-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20161124

实质审查的生效
2017-02-15

公开

公开
2017-02-15

公开

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