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MOS管参数退化电路和MOS管参数退化预警电路

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本发明涉及一种MOS管参数退化电路，包括CMOS反相器、应力施加电路和参数测量电路；CMOS反相器包括第一PMOS管与第一NMOS管；应力施加电路在第一模式选择信号的控制下导通，应力施加电路接收控制信号后对CMOS反相器的第一PMOS管施加负栅压偏置应力或者正栅压偏置应力；参数测量电路在第二模式选择信号的控制下导通；参数测量电路接收输入信号，将输入信号输出至CMOS反相器的输入端；第一模式选择信号与第二模式选择信号为互补信号；本发明可以提高MOS管参数退化测试结果的准确性。此外，本发明还涉及一种MOS管参数退化预警电路，可以准确分析NBTI效应对PMOS管器件参数的影响。

著录项

公开/公告号CN107039299B

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所;
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申请/专利号CN201610989878.1
发明设计人恩云飞;雷登云;陈义强;何春华;黄云;
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申请日2016-11-10
分类号
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人刘艳丽
地址 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号
入库时间 2022-08-23 10:41:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-18

授权

授权
2017-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20161110

实质审查的生效
2017-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20161110

实质审查的生效
2017-08-11

公开

公开
2017-08-11

公开

公开
2017-08-11

公开

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