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使用反向FinFET薄膜晶体管的FinFET SRAM单元

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一种集成电路，如SRAM单元(130)，包括反向FinFET晶体管(P2)和FinFET晶体管(N3)。反向FinFET晶体管包括：第一栅极区(108)，由衬底上的半导体结构(100)形成；第一管体区，由半导体层(104)组成，具有置于第一栅极区上的第一沟道区(112)，以及在第一沟道区的每个侧壁上形成的源极(110)和漏极(114)。FinFET晶体管(N3)耦合到反向FinFET晶体管，并包括：第二管体区，由半导体结构(102)形成，具有第二沟道区(118)，以及在第二沟道区的每个侧壁上形成的源极(116)和漏极(120)；以及第二栅极区(122)，由半导体层组成，置于第二沟道区上。

著录项

公开/公告号CN100351994C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-11-28

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN02829867.5
发明设计人 M·布莱特维希;E·J·诺瓦克;
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申请日2002-12-19
分类号H01L21/00(20060101);H01L21/44(20060101);H01L21/84(20060101);H01L21/8238(20060101);H01L29/00(20060101);H01L29/04(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;李峥
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 08:59:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20021219

专利申请权、专利权的转移
2017-12-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 登记生效日:20171110 变更前: 变更后: 申请日:20021219

专利申请权、专利权的转移
2007-11-28

授权

授权
2007-11-28

授权

授权
2006-01-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-09

公开

公开
2005-11-09

公开

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