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具有改进的非钳位感应开关抗扰性的晶体管结构

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一种具有改进的非钳位感应开关抗扰性的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管结构。该LDMOS包括第一导电类型的衬底和相邻的外延层。栅极结构在外延层之上。两者都为第二导电类型的漏区和源区位于外延层内。沟道形成于源区和漏区之间并且布置在栅极结构下方。第一导电类型的体结构至少部分地形成于栅极结构下方并且在源区下方横向延伸，其中外延层的掺杂少于体结构。导电沟槽状馈通元件穿过外延层并接触衬底和源区。LDMOS包括形成于源区下方、且横向靠近并接触所述体结构和所述沟槽状馈通元件的第一导电类型的槽区。

著录项

公开/公告号CN106663610B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-04

原文格式PDF
申请/专利权人维西埃-硅化物公司;
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申请/专利号CN201580044859.5
发明设计人文杰·张;马督儿·博德;陈去非;凯尔·特里尔;
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申请日2015-08-14
分类号H01L21/265(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/40(20060101);H01L29/417(20060101);H01L29/66(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11336 北京市磐华律师事务所;
代理人高伟;娄晓丹
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:49:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-04

授权

授权
2017-08-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20150814

实质审查的生效
2017-08-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20150814

实质审查的生效
2017-05-10

公开

公开
2017-05-10

公开

公开
2017-05-10

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1. 具有改进的非钳位感应开关抗扰性的晶体管结构 [P] . 中国专利： CN106663610B . 2020.02.04
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