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一种提高Sb2Se3薄膜晶粒柱状生长趋势的方法

摘要

本发明属于薄膜太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种提高Sb2Se3薄膜晶粒柱状生长趋势的方法,该方法将水浴法得到的CdS薄膜通过氧等离子处理,从而诱导Sb2Se3薄膜的柱状生长。其具体的制备方法是先利用水浴法在FTO基底上沉积一层CdS薄膜,然后将得到的CdS薄膜利用氧等离子处理,最后采用RTE的方法快速沉积一层Sb2Se3薄膜,氧等离子处理CdS薄膜之后,Sb2Se3薄膜呈柱状生长,从而使硒化锑薄膜电池的效率大幅提升,这对于硒化锑薄膜电池的发展有一定的科学价值及促进作用。

著录项

  • 公开/公告号CN109616550B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州大学;江苏大学;

    申请/专利号CN201811363984.4

  • 发明设计人 袁宁一;王鑫;丁建宁;郭华飞;

    申请日2018-11-16

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L21/263(20060101);H01L21/02(20060101);

  • 代理机构32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人谢新萍

  • 地址 213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号

  • 入库时间 2022-08-23 10:50:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-14

    授权

    授权

  • 2019-05-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20181116

    实质审查的生效

  • 2019-05-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20181116

    实质审查的生效

  • 2019-04-12

    公开

    公开

  • 2019-04-12

    公开

    公开

  • 2019-04-12

    公开

    公开

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