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蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法

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摘要

本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选自由含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。

著录项

公开/公告号CN100372055C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-02-27

原文格式PDF
申请/专利权人气体产品与化学公司;
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申请/专利号CN200410100570.4
发明设计人齐宾;S·A·莫蒂卡;R·M·珀尔斯泰恩;E·J·小卡瓦基;吴定军;
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申请日2004-11-26
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人卢新华
地址美国宾夕法尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:00:12

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-01-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20080227 终止日期:20151126 申请日:20041126

专利权的终止
2008-02-27

授权

授权
2005-09-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-07-13

公开

公开

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专利
中文文献
外文文献

1. 蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法 [P] . 中国专利： CN100372055C . 2008.02.27
2. 清洗高介电常数材料沉积室的方法 [P] . 中国专利： CN100347815C . 2007.11.07
3. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials [P] . 美国专利： US7357138B2 . 2008-04-15

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4. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1538235A1 . 2005-06-08

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5. Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1382716A3 . 2004-07-07

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