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一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器

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本发明提供一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器，包括：第一硅层；二氧化硅层；第二硅层，经蚀刻后形成为同心圆光栅状；硅纳米线，由第二硅层经蚀刻后形成，用于接收入射光；等离子体天线对，用于增强进入硅纳米线的纳米间隙内的入射光的光强。由于通信波段光子能量低于半导体硅的能级禁带宽度，因此在通信波段硅的单个光子吸收系数极低且与光强无关。硅吸收双光子的系数也同样很低，但双光子吸收系数与光强成正比，增大光强能线性地提高双光子吸收。上述等离子体天线可以极大程度地将入射光限制在硅纳米线所在的纳米间隙内，从而增强光强至少5个数量级，这显著增强了硅的总吸收系数中双光子吸收，在硅纳米线中能大量地产生电子‑空穴对并出现光电流。

著录项

公开/公告号CN106486564B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-17

原文格式PDF
申请/专利权人上海交通大学;
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申请/专利号CN201510548075.8
发明设计人但亚平;哈米德雷扎·新安坡尔;
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申请日2015-08-31
分类号H01L31/09(20060101);H01L31/0352(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人樊英如;李献忠
地址 200030 上海市徐汇区华山路1954号
入库时间 2022-08-23 10:52:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-17

授权

授权
2018-09-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/09 申请日:20150831

实质审查的生效
2018-09-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/09 申请日:20150831

实质审查的生效
2017-03-08

公开

公开
2017-03-08

公开

公开
2017-03-08

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