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一种以S,S-二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法

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本发明公开了一种以S,S‑二氧二苯并噻吩为受电子单元的齐聚噻吩衍生物及其制备方法；在惰性气氛中，将2‑(三甲基锡)‑5‑(4‑正己基苯基)噻吩(1)，3,7‑二溴‑S,S‑二氧‑二苯并噻吩(2)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物；将3‑溴‑7‑(5‑己基‑2,2’‑二噻吩基)二苯并噻吩‑S,S‑二氧化物，中间体2,6‑二(三甲基锡)‑4,8‑二(2‑乙基己氧基)苯并[1,2‑b:4,5‑b’]二噻吩(3)和催化剂溶于溶剂，进行Stille交叉偶联反应，得到齐聚噻吩衍生物有机半导体材料；其具有较低的HOMO能级和合适的光学带隙，应用于有机发光二极管和有机太阳能电池器件制备的新材料。

著录项

公开/公告号CN108586483B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-27

原文格式PDF
申请/专利权人西安理工大学;
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申请/专利号CN201810366441.1
发明设计人段宗范;何刚;李康;
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申请日2018-04-23
分类号
代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司;
代理人杨洲
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
入库时间 2022-08-23 10:53:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-27

授权

授权
2018-10-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C07D495/04 申请日:20180423

实质审查的生效
2018-10-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C07D 495/04 申请日:20180423

实质审查的生效
2018-09-28

公开

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2018-09-28

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2018-09-28

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