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退火设备工艺能力的监控方法

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本发明提供了一种退火设备工艺能力的监控方法，通过在裸片晶圆表面形成第一氧化层，并测量所述第一氧化层的厚度，再对所述第一氧化层的进行一退火工艺，形成第二氧化层，然后测试所述第二氧化层的厚度，通过判断所述第一氧化层和所述第二氧化层的厚度差是否符合控制要求来判断退火设备的工艺能力，若其厚度差满足控制要求，则判定所述退火设备状况正常，适用于进行退火工艺，可进行产品的批量生产；若不满足，则判定所述退火设备状况异常，不适用于进行退火工艺，不可进行产品的批量生产。本发明提供的退火设备工艺能力的监控方法简单有效，提高了产品的良率，避免了批量不良品的产生。

著录项

公开/公告号CN107492492B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-10

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201710676355.6
发明设计人李楠;张凌越;国子明;
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申请日2017-08-09
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 10:54:58

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-10

授权

授权
2018-01-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/324 申请日:20170809

实质审查的生效
2018-01-12

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20170809

实质审查的生效
2017-12-19

公开

公开
2017-12-19

公开

公开
2017-12-19

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