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光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法

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本发明涉及半导体技术领域，特别是半导体低维量子结构中量子点的光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法。通过选择光激发下电容-电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。对半导体量子点器件的研制、开发和应用具有重要意义。对于含量子点的半导体多层异质结构，在选择光激发条件下，通过常规电容-电压测量，利用量子点和另一限制层(量子阱、量子线或量子点)之间的量子态隧穿耦合引起的电容谱特征结构，可以很容易得到量子点的电荷密度。

著录项

公开/公告号CN100358121C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-12-26

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN200510090641.1
发明设计人李桂荣;郑厚植;杨富华;
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申请日2005-08-18
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人段成云
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:00:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-10-14

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-12-26

授权

授权
2007-04-18

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-02-21

公开

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