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一种低折射率比下大完全光子带隙光子晶体的设计方法

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本发明公开了一种低折射率比下大完全光子带隙光子晶体的设计方法，涉及光子晶体领域。本方法主要是：①将光子晶体的元胞按所需精度分成对应像素点；②以像素点的二值分布代替元胞中高低折射率材料的形状结构；③利用迭代算法对像素二值分布进行迭代，寻找合适的元胞结构；④将所得元胞结构用数值尺寸进行描述表示，⑤增加能带计算数目，利用数值方法计算元胞对应光子晶体的归一化带隙。大完全光子带隙光子晶体的元胞是第1元胞，第1元胞呈正6边形，包括第1边界、第1低折射率背景材料、第1高折射率圆环介质柱和第1高折射率连杆介质柱。应用本设计方法，可以在较低折射率比下获得完全光子带隙，可以在很大波长范围内实现对光波的调控。

著录项

公开/公告号CN109324358B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-19

原文格式PDF
申请/专利权人中南民族大学;
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申请/专利号CN201811548534.2
发明设计人侯金;姚怡;杨春勇;陈少平;
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申请日2018-12-18
分类号
代理机构武汉宇晨专利事务所;
代理人黄瑞棠
地址 430074 湖北省武汉市洪山区民院路708号
入库时间 2022-08-23 10:59:05

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-19

授权

授权
2019-03-08

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B1/00 申请日:20181218

实质审查的生效
2019-02-12

公开

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