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具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法

摘要

本发明涉及具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法,以及利用该稀磁半导体材料制成的半导体电子器件和包括该半导体电子器件的电子设备。根据一实施例,提供一种具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料,其化学式为Na

著录项

  • 公开/公告号CN109841369B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201711192940.5

  • 发明设计人 靳常青;于爽;邓正;

    申请日2017-11-24

  • 分类号

  • 代理机构北京市正见永申律师事务所;

  • 代理人黄小临

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 11:00:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-02

    授权

    授权

  • 2019-06-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F1/40 申请日:20171124

    实质审查的生效

  • 2019-06-04

    公开

    公开

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