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一种射频三极管的制作方法及射频三极管

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摘要

本发明提供了一种射频三极管的制作方法及射频三极管，其中，制作方法包括：在射频三极管半成体的第二氧化层上制作连通P+基区的第一接触孔和连通P－基区的第二接触孔，然后分别在场氧化层表面、第二氧化层表面、第一接触孔及第二接触孔内淀积多晶硅，并在多晶硅内注入N型离子，此后对场氧化层表面、第二氧化层表面及第一接触孔内的多晶硅进行光刻及刻蚀，然后再对第二接触孔内的多晶硅进行退火，此时就可以在P－基区中形成N+发射区，同时不影响P+基区。本发明将P+基区和P－基区的接触孔的光刻及刻蚀合并到一起来完成，相对于常规做法，省去了一层光刻，对射频三极管的制作流程进行了优化，减少了制作工艺的复杂程度，节约了制作成本。

著录项

  • 公开/公告号CN106486359B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;

    申请/专利号CN201510542968.1

  • 发明设计人 马万里;

    申请日2015-08-28

  • 分类号H01L21/331(20060101);H01L29/735(20060101);H01L29/08(20060101);

  • 代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人许静;安利霞

  • 地址 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室

  • 入库时间 2022-08-23 11:02:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-23

    授权

    授权

  • 2017-04-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/331 申请日:20150828

    实质审查的生效

  • 2017-03-08

    公开

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