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一种高倍增系数的电容倍增器

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摘要

本发明公开了一种高倍增系数的电容倍增器包括第一共源共栅电路模块、第二共源共栅电路模块、跨导放大器电路模块、片内电容、第一偏置电流源、第二偏置电流源和第三偏置电流源，跨导放大器电路模块上设有第一输入端和第二输入端，第一输入端与第一共源共栅电路模块的输出端连接，第二输入端与第二共源共栅电路模块的输出端连接，跨导放大器电路模块的输出端与片内电容连接；本发明采用高输出阻抗的调节型共源共栅电路结构，并在跨导放大器电路模块的输出端增加电流镜结构，极大地提高了电容倍增器的倍增系数，产生了更大的等效片内电容。该电容倍增器的整个电路结构只使用CMOS晶体管和电容，故具有面积小、倍增系数高的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN107565928B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波大学;

    申请/专利号CN201710680358.7

  • 发明设计人 钱利波;涂勇根;励达;

    申请日2017-08-10

  • 分类号

  • 代理机构宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人谢潇

  • 地址 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

  • 入库时间 2022-08-23 11:03:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    授权

    授权

  • 2018-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H11/00 申请日:20170810

    实质审查的生效

  • 2018-01-09

    公开

    公开

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