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一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构

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本发明公开了一种提高CMOS图像传感器量子效率的光电二极管结构，位于轻掺杂衬底中，包括重置晶体管、传输晶体管、PN光电二极管、像素单元隔离区、P阱区和环状硅区；所述传输晶体管的两端分别连接所述重置晶体管和PN光电二极管，所述重置晶体管、传输晶体管和PN光电二极管形成的区域被环状的像素单元隔离区包围，在所述P阱区和像素单元隔离区的下方设置环状硅区，所述环状硅区的内环面积大于所述PN光电二极管面积，环状硅区和像素单元隔离区不重叠且两者掺杂类型相反。本发明可以通过增加PNP结的NP部分的反向偏压，以增加耗尽区宽度，提高长波段的量子效率，且能够避免引入带间隧穿漏电。

著录项

公开/公告号CN108110021B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28

原文格式PDF
申请/专利权人上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司;
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申请/专利号CN201711123464.1
发明设计人孙德明;
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申请日2017-11-14
分类号H01L27/146(20060101);
代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华;陈慧弘
地址 201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号
入库时间 2022-08-23 11:06:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-28

授权

授权
2018-06-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20171114

实质审查的生效
2018-06-01

公开

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