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一种增大自旋轨道耦合的方法和自旋晶体管

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本发明公开了一种增大自旋轨道耦合的方法和晶体管，该方法是采用分子束外延或金属有机化学气相沉积的方式，在晶体管InxGa1‑xAs量子阱沟道层中使In组分的含量线性渐变增加，相应的，Ga组分的含量线性渐变减少。所述晶体管包括InP衬底，以及自InP衬底上依次外延生长的InAlAs缓冲层、InxGa1‑xAs量子阱沟道层、InAlAs空间隔离层、Si delta掺杂层、InAlAs势垒层和InGaAs帽层，其中，所述InxGa1‑xAs量子阱沟道层中In组分线性渐变增加。通过使用沟道线性In组分渐变来增大半导体材料（晶体管）中的自旋轨道耦合，能更好地调控自旋这个参量，为未来具有自旋轨道耦合的半导体材料能够投入到实际应用做好铺垫。

著录项

公开/公告号CN110875182B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21

原文格式PDF
申请/专利权人中科芯电半导体科技(北京)有限公司;
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申请/专利号CN202010050900.2
发明设计人张杨;崔利杰;
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申请日2020-01-17
分类号
代理机构北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人孙艳敏
地址 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层(中科芯电)
入库时间 2022-08-23 11:10:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-21

授权

授权
2020-04-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/335 申请日:20200117

实质审查的生效
2020-03-10

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