公开/公告号CN100400599C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 AZ电子材料(日本)株式会社;
申请/专利号CN200480020537.9
申请日2004-07-07
分类号C08L83/16(20060101);C01B33/12(20060101);H01L21/312(20060101);C09D183/16(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构11216 北京三幸商标专利事务所;
代理人刘激扬
地址 日本国东京都
入库时间 2022-08-23 09:00:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-23
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08L83/16 授权公告日:20080709 终止日期:20190707 申请日:20040707
专利权的终止
2015-05-06
专利权的转移 IPC(主分类):C08L83/16 变更前: 变更后: 登记生效日:20150414 申请日:20040707
专利申请权、专利权的转移
2015-05-06
专利权的转移 IPC(主分类):C08L 83/16 变更前: 变更后: 登记生效日:20150414 申请日:20040707
专利申请权、专利权的转移
2012-06-27
专利权的转移 IPC(主分类):C08L83/16 变更前: 变更后: 登记生效日:20120522 申请日:20040707
专利申请权、专利权的转移
2012-06-27
专利权的转移 IPC(主分类):C08L 83/16 变更前: 变更后: 登记生效日:20120522 申请日:20040707
专利申请权、专利权的转移
2008-07-09
授权
授权
2008-07-09
授权
授权
2006-10-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-10-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-23
公开
公开
2006-08-23
公开
公开
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机译： 含磷硅氮烷组合物，含磷硅质膜，含磷硅质填充剂，含磷硅质膜的制造方法以及半导体装置
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