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集成电路结构及其制造方法与集成电路记忆体元件

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摘要

本发明是关于一种集成电路结构及其制造方法与集成电路记忆体元件。该集成电路结构，包括在基底上的底介电层、中间介电层、顶介电层。中间介电层带有底表面和顶表面，包括多种材料。在底表面和顶表面之间的多种材料中的至少两种组成元素其组成元素浓度曲线是不一致的，以引起底表面和顶表面之间能带间隙的变化。该能带间隙的变化在底表面和顶表面之间建立电场，而阻止电荷朝底表面和顶表面中的至少一个运动，从而避免造成电荷逸失。

著录项

  • 公开/公告号CN100397619C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200510051071.5

  • 发明设计人 王嗣裕;

    申请日2005-03-01

  • 分类号H01L21/8239(20060101);H01L21/8247(20060101);H01L27/105(20060101);H01L27/115(20060101);

  • 代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁;张华辉

  • 地址 中国台湾

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-06-25

    授权

    授权

  • 2006-08-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-06-07

    公开

    公开

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