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采用相对光谱旋转体体积表征AlGaInP基LED结温的方法

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本发明公开了一种以波长380nm为起始点的相对光谱分布绕Y轴旋转之体积表征AlGaInP基LED结温的方法，属于LED光电检测领域。本发明在小电流下驱动AlGaInP基LED发光，然后用光谱分析仪测量不同温度条件下AlGaInP基LED的相对光谱分布，并计算出以(峰值波长‑380nm)为起始点的相对光谱分布绕Y轴旋转之体积，得到该体积随结温的变化系数。最后根据该系数，结合已知结温时的相对光谱旋转体积，测算出待测条件下AlGaInP基LED结温。由于相对光谱旋转体之体积对带宽和测量精度要求均较低，因此，本方法使用成本较低的普通光谱仪即可完成测量，且多次测量稳定性和准确性好。测量方法简单易操作，测量过程中不接触LED本身，使用范围广。

著录项

公开/公告号CN108871605B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-01

原文格式PDF
申请/专利权人常州工学院;
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申请/专利号CN201810870627.0
发明设计人饶丰;褚静;徐安成;朱锡芳;
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申请日2018-08-02
分类号G01K11/00(20060101);G01R31/26(20140101);
代理机构32472 常州西创专利代理事务所(普通合伙);
代理人武政
地址 213032 江苏省常州市新北区辽河路666号
入库时间 2022-08-23 11:12:16

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