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公开/公告号CN107923936B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 欧姆龙株式会社;
申请/专利号CN201680047997.3
发明设计人 竹内豪;桒原贵宪;
申请日2016-11-21
分类号G01R31/52(20200101);G01R19/00(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人马爽;臧建明
地址 日本京都府京都市下京区盐小路通堀川东入南不动堂町801番地
入库时间 2022-08-23 11:12:30
机译: 泄漏电流计算程序,泄漏电流计算装置和泄漏电流计算方法
机译: 漏电流计算装置及漏电流计算方法
机译:基于寄生电容模型的光伏逆变器系统漏电流计算
机译:基于电压的漏电流计算方案及其在纳米MOSFET和FinFET标准单元设计中的应用
机译:SiC肖特基触点的反向泄漏电流计算
机译:瞬态电场分析采用加速劣化试验和直流漏电流对6.6 kV CV电缆进行水资源的建模。AC叠加电流计算。
机译:抑制漏洞销装置漏电流的表面钝化优化
机译:从浪涌避雷器的漏电流中提取电阻电流部件而无需电压参考
机译:Movpe制造的M平面GaN肖特基势态漏电流漏电流和载流子浓度的刻面依赖性(Physte Solidi A 8/2017)
机译:合成原子阵列:具有大能量密度和小泄漏电流的纳米电容器电池。