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电子器件、光电子器件、器件装置和用于制造电子器件的方法

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摘要

一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。

著录项

公开/公告号CN107112385B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11

原文格式PDF
申请/专利权人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
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申请/专利号CN201580054044.5
发明设计人 L.海贝格尔;M.施佩尔;
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申请日2015-08-04
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/48(20100101);H01L33/54(20100101);H01L33/62(20100101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人臧永杰;刘春元
地址德国雷根斯堡
入库时间 2022-08-23 11:13:16

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