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低K值和中K值LTCC介电组合物及装置

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摘要

由包含前体材料混合物的介电组合物制备的LTCC装置，所述组合物经烧制形成包含钡‑钨‑硅基体的介电材料。

1. 低K值和中K值LTCC介电组合物及装置 [P] . 中国专利： CN107250081B . 2020.09.11
2. 低K值和中K值LTCC介电组合物及装置 [P] . 中国专利： CN107250081A . 2017-10-13
3. method for cleaning the surfaces of dielectric polymerischen halbleiterscheiben with low k value [P] . 德国专利： DE69927840D1 . 2006-03-02

机译： k值低的介电聚合物半固化片表面清洁方法
4. Method of photoresist removal in the presence of a dielectric layer having a low k-value [P] . 美国专利： US6991739B2 . 2006-01-31

机译：在具有低k值的介电层的情况下去除光刻胶的方法
5. Production of interlayer dielectric films with a low K-value using Si-containing resists [P] . 德国专利： DE10314152A1 . 2003-11-13

机译：使用含硅抗蚀剂生产低K值的层间介电膜