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用以在集成电路中集成热过孔结构的技术

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本发明涉及用以在集成电路中集成热过孔结构的技术，其中一种集成电路设计技术包括在集成电路(IC)设计的衬底的第一表面上设置标准单元。在该第一表面上定位至少两个空置区域，该空置区域不包括标准单元。确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充过孔的高宽比。在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充过孔。最后，自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热过孔，以将该一个或多个部分热过孔与该一个或多个微填充过孔热耦接，从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。

著录项

公开/公告号CN107403022B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-18

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN201710223449.8
发明设计人杰佛瑞·P·卡比诺;理查·S·格拉夫;撒帝·曼杜;
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申请日2017-04-07
分类号G06F30/392(20200101);H01L27/02(20060101);G06F115/06(20200101);G06F119/08(20200101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 11:14:06

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