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超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法

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本发明公开了一种高品质因数微波介电陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料主体为Ba₃La_2‑xGa_1+xM₃O₁₅(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.55，加以重量百分比为0.5％～1.5％的BaCu(B₂O₅)。该材料通过传统的高温固相合成法制备，在二次球磨过程中添加少量分散剂，随后在热环境下超声振动，使样品粉体颗粒不易团聚。由此制备的材料在1240℃～1260℃下烧结良好，介电常数为31.8～34.3，其品质因数Qf值高达94000‑126000GHz，谐振频率温度系数小。同时本发明首次公开了Ba₃La_2‑xGa_1+xM₃O₁₅(M＝Nb，Ta)，其中0≤x≤0.55陶瓷具有良好的微波介电性能。

著录项

公开/公告号CN108002834B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-23

原文格式PDF
申请/专利权人桂林理工大学;
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申请/专利号CN201711299585.1
发明设计人苏聪学;覃杏柳;张志伟;苏启武;
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申请日2017-12-09
分类号C04B35/50(20060101);C04B35/495(20060101);
代理机构
代理人
地址 541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
入库时间 2022-08-23 11:18:01

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