首页> 中国专利> 一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法

一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明提供一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，其电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，其电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。本发明的SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法可同时仿真NMOS和PMOS，可以仿真阈值电压的漂移，还可仿真各个尺寸、各个辐射剂量的MOSFET特性，大大提高仿真准确性。

著录项

公开/公告号CN107305593B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
展开▼

申请/专利号CN201610252163.8
发明设计人陈静;黄建强;罗杰馨;柴展;吕凯;何伟伟;
展开▼

申请日2016-04-21
分类号G06F30/20(20200101);
代理机构31233 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人宋缨
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 11:23:29

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法 [P] . 中国专利： CN107305593B . 2020.12.01
2. 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法 [P] . 中国专利： CN102375896B . 2014.04.02
3. OPTICALLY STIMULATED LUMINESCENCE RADIATION DOSIMETRY METHOD TO DETERMINE INTEGRATED DOSES AND DOSE RATES AND A METHOD TO EXTEND THE UPPER LIMIT OF MEASURABLE ABSORBED RADIATION DOSES DURING IRRADIATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2004106984A3 . 2005-07-14

机译：确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
4. OPTICALLY STIMULATED LUMINESCENCE RADIATION DOSIMETRY METHOD TO DETERMINE INTEGRATED DOSES AND DOSE RATES AND A METHOD TO EXTEND THE UPPER LIMIT OF MEASURABLE ABSORBED RADIATION DOSES DURING IRRADIATION [P] . 世界知识产权组织专利： WO2004106984A2 . 2004-12-09

机译：确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
5. Optically stimulated luminescence radiation dosimetry method to determine integrated doses and dose rates and a method to extend the upper limit of measurable absorbed radiation doses during irradiation [P] . 美国专利： US2004262538A1 . 2004-12-30

机译：确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量法和一种扩大辐照期间可测量吸收辐射剂量上限的方法