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避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法

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摘要

本发明公开了避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法，包括：S1：提供一已形成单元区域和逻辑区域的晶圆；S2：在晶圆的上表面淀积具有填充能力的氧化物薄膜；S3：平整化氧化物薄膜；S4：去除单元区域的氧化物薄膜；S5：在单元区域的上表面以及逻辑区域的氧化物薄膜的上表面淀积无定形碳薄膜和介质抗反射薄膜；S6：进行单元区域的控制栅的形成；S7：去除逻辑区域的无定形碳薄膜和氧化物薄膜。本发明通过具有填充能力的氧化物填充逻辑区域的图形，能够避免无定形碳薄膜填充后造成空洞的问题，从而避免在控制栅形成的刻蚀返工工艺中出现无定形碳薄膜剥落的问题。

著录项

公开/公告号CN107993922B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力微电子有限公司;
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申请/专利号CN201711242834.3
发明设计人徐灵芝;张志刚;
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申请日2017-11-30
分类号H01L21/02(20060101);
代理机构31272 上海申新律师事务所;
代理人俞涤炯
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 11:23:37

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