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计算纳米CMOS器件中应力致界面态密度变化量的电荷泵方法

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摘要

本发明公开一种计算纳米CMOS器件中应力致界面态密度变化量的电荷泵方法，在传统CP方法的基础上测量纳米小尺寸器件的初始状态和应力状态下的衬底电流，从中提取出真实的电荷泵电流I_CP，计算出应力产生的界面缺陷密度。此技术适用于漏电流很大的纳米小尺寸CMOS器件，测量过程保持频率固定，测量结果准确度高。本发明能够使得针对纳米CMOS器件应力致缺陷表征方法的研究得到进一步发展，有利于促进纳米小尺寸CMOS器件可靠性研究的发展。

著录项

公开/公告号CN109001609B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-22

原文格式PDF
申请/专利权人马丽娟;
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申请/专利号CN201810783631.3
发明设计人马丽娟;鲁明亮;王旭;吴建宁;朱增力;马先良;
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申请日2018-07-17
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构32335 南京华恒专利代理事务所(普通合伙);
代理人宋方园
地址 210000 江苏省南京市建邺区虹苑新寓四村7幢一单元
入库时间 2022-08-23 11:26:03

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