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半导体器件及其结边缘区

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本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，半导体衬底及外延层之间设有多数个间隔设置有浮空区，外延层邻接有源区部位的表面设有过渡区，半导体衬底另设有半导体区。本申请将浮空区埋于所述半导体器件中，以分散外加电压降低电场集中之外，较能避免表面电荷改变了结边缘的电场分布而导致击穿电压的改变，进而提升器件的可靠性和一致性。

著录项

公开/公告号CN110556427B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-08

原文格式PDF
申请/专利权人南京芯舟科技有限公司;
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申请/专利号CN201910724064.9
发明设计人杜文芳;
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申请日2019-08-07
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/40(20060101);
代理机构11228 北京汇泽知识产权代理有限公司;
代理人亓赢
地址 210000 江苏省南京市浦口区江浦街道浦口大道1号新城总部大厦506-1室
入库时间 2022-08-23 11:28:28

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