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一种读参考电压受多维因子影响的预测建模及施加方法

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本发明公开了一种读参考电压受多维因子影响的预测建模及施加方法，三维闪存的单元阈值电压在受到保存周期、可编程擦写次数(Program/Erase,简称P/E)和层间差异等多维因子影响时容易发生漂移，漂移后的阈值电压分布使得施加的读参考电压无法准确判断读出的比特值，造成数据读取错误，影响了数据存储可靠性。本发明首先采集在不同的读参考电压下，读取的原始比特错误率和多维因子影响的相关数据。然后，使用深度学习算法中的人工神经网络算法建立所施加的最佳读参考电压受多维因子影响的网络预测模型，根据模型准确施加读参考电压以最大化降低读取的比特错误。

著录项

公开/公告号CN111309544B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-26

原文格式PDF
申请/专利权人上海威固信息技术股份有限公司;
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申请/专利号CN202010086351.4
发明设计人吴佳;李礼;陈佳;苗诗君;余云;杨冀;刘碧贞;
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申请日2020-02-11
分类号G06F11/273(20060101);G06F11/34(20060101);G06N3/04(20060101);G06N3/08(20060101);
代理机构31301 上海海贝律师事务所;
代理人王文锋
地址 201702 上海市青浦区高泾路599号1幢2层208室
入库时间 2022-08-23 11:30:24

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1. 一种读参考电压受多维因子影响的预测建模及施加方法 [P] . 中国专利： CN111309544B . 2021.01.26
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