首页> 中国专利> 一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件及应用

一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件及应用

摘要

本发明公开了一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件及应用。硼纳米片均匀涂在反射镜或微纳光纤表面构成可饱和吸收体器件,反射镜为金镜或银镜,微纳光纤为拉锥光纤或D形光纤;或者分散在透明基质内形成复合物薄膜构成可饱和吸收体器件,透明基质为有机聚合物。本发明发现了一种全新的具有优异可饱和吸收特性的材料体系,为开发新型可饱和吸收体提供了新的选择,硼纳米片可大规模、廉价地使用溶液超声剥离法制备,本发明具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点,相比于目前商业化的半导体可饱和吸收镜(SESAM)技术大大降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN109361141B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201811039555.1

  • 发明设计人 郭强兵;邱建荣;

    申请日2018-09-06

  • 分类号H01S3/098(20060101);G02B5/00(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人林超

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:39

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号