公开/公告号CN110262622B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十八研究所;
申请/专利号CN201910600483.1
申请日2019-07-04
分类号G05F3/26(20060101);
代理机构32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人杨立秋
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
入库时间 2022-08-23 11:30:44
机译: 带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译: 具有检测/监控电路的内部电阻的低功耗高PSRR PVT补偿带隙和电流基准
机译: CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源