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具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器

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公开了一种具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器。在一些实施例中，诸如功率放大器(PA)这样的射频(RF)放大器可以被配置为接收和放大RF信号。PA可以包括并联地电连接在输入节点与输出节点之间的共射共基器件的阵列。每个共射共基器件可以包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管。阵列可以被配置为使得各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位。

著录项

公开/公告号CN107431463B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-02

原文格式PDF
申请/专利权人天工方案公司;
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申请/专利号CN201680021110.3
发明设计人 P·J·莱托拉;
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申请日2016-02-13
分类号H03F1/02(20060101);H03F1/22(20060101);H03F1/56(20060101);H03F3/195(20060101);H03F3/21(20060101);H03F3/24(20060101);
代理机构11497 北京市正见永申律师事务所;
代理人黄小临
地址美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 11:30:52

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专利
中文文献
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1. 具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器 [P] . 中国专利： CN107431463B . 2021.02.02
2. 具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器 [P] . 中国专利： CN107431463A . 2017-12-01
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