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公开/公告号CN108147823B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN201711483585.7
发明设计人 龚红宇;刘玉;张玉军;冯玉润;林骁;郭学;毛俊杰;
申请日2017-12-29
分类号C04B35/591(20060101);C04B35/589(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人杨磊
地址 250061 山东省济南市历下区经十路17923号
入库时间 2022-08-23 11:31:52
机译: 掺杂氧化EURO的含铁硅碳氮前驱体陶瓷的制备方法
机译: 环状硅氮杂素和卤化二硅氮烷的陶瓷前驱体及其制备方法
机译: 通过以含硅聚合物为前驱体沉积氧化硅和类金刚石碳来制备超疏水性材料的方法和通过使用相同的方法来提高耐久性的超疏水性材料的制备方法
机译:乙烯桥联共聚碳硅氮烷作为碳氮化硅陶瓷前驱体的合成与表征
机译:硼改性聚硅氮烷作为SiBCN陶瓷纤维的新型单源前驱体:合成熔融-正火,固化和陶瓷转化
机译:聚硅氮烷和镍茂整体热解的含硅化镍纳米晶体的磁陶瓷
机译:电子束辐照含前驱体的聚碳甲基硅烷热解制备SiC陶瓷的微观结构
机译:在先进材料先驱体生产中形成硅碳键的途径的应用:第一部分:作为碳化硅单源CVD前驱体的环状和线性碳硅烷的研究。第二部分:新型氟和氰基取代的聚(亚甲撑亚甲基)的合成与表征。
机译:通过镍催化的亲核硅与未活化的仲和叔烷基亲电试剂的镍催化交叉偶联形成硅-碳键
机译:液态聚碳硅烷制备含铝碳化硅陶瓷前驱体——聚铝碳硅烷
机译:四苯基 - 四甲基 - 三硅氧烷(Dow-Corning 704)前驱体蒸发温度对离子束辅助沉积(IBaD)合成的含硅类金刚石碳(si-DLC)涂层性能的影响