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一种片层堆叠的花球结构的二硒化钼超级电容器电极材料制备方法

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摘要

本发明涉及一种片层堆叠的花球结构的二硒化钼超级电容器电极材料制备方法；(1)室温下，量取过氧化氢加入到钼粉中，钼粉完全溶解；(2)量取水合肼加入到硒粉中，硒粉完全溶解；(3)量取N,N‑二甲基甲酰胺加入到步骤(1)的溶液中；(4)将步骤(3)得到的均匀溶液转移至反应釜中继续搅拌，在搅拌条件下，将步骤(2)得到的溶液加入到以上反应釜中，混合磁力搅拌；(5)将反应釜置于烘箱中160～200℃反应，然后冷却至室温得到反应产物；产物抽滤、洗涤、干燥得到片层堆叠的花球结构的MoSe₂用擀片法制作成电极。电极比容量在1A/g条件下有286.6F/g，在2A/g条件下仍有268.8F/g。

著录项

公开/公告号CN110136969B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16

原文格式PDF
申请/专利权人天津大学;
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申请/专利号CN201910306873.8
发明设计人张磊;殷少坤;李超;唐宁;王威;米南阳;贾焜;闫宁;
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申请日2019-04-17
分类号H01G11/24(20130101);H01G11/30(20130101);H01G11/86(20130101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人李素兰
地址 300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
入库时间 2022-08-23 11:35:21

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