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制造记忆胞元之方法、记忆胞元及记忆胞元装置

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摘要

本发明是关于一种记忆胞元的制造方法、一种记忆胞元与一种记忆胞元装置。根据本发明之记忆胞元制造方法，于一基板中及/或上形成一第一电传导区域，亦于距离该第一电传导区域一预定距离处形成一第二电传导区域，以使该第一与该第二电传导区域间形成一凹穴。该第一与该第二电传导区域皆配置为当施加一第一电压至该等电传导区域时，可自该等电传导区域至少其中之一形成一结构，该结构至少部分桥接该等电传导区域间的距离；当施加一第二电压至该等传导区域时，至少部分桥接该等电传导区域间距离的结构之材料则会回缩。

著录项

公开/公告号CN100428519C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人因芬尼昂技术股份公司;
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申请/专利号CN200380105069.0
发明设计人 F·霍夫曼恩;F·克罗伊普;
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申请日2003-11-27
分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);G11C11/34(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚;李丙林
地址德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:01:20

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-02-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 授权公告日:20081022 终止日期:20091228 申请日:20031127

专利权的终止
2008-10-22

授权

授权
2006-03-01

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-11

公开

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