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用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP-CVD）和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法

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本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。

著录项

公开/公告号CN109716541B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-26

原文格式PDF
申请/专利权人亮锐控股有限公司;
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申请/专利号CN201780044821.7
发明设计人 I.维尔德森;P.德布;E.C.尼尔森;J.科巴亚施;
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申请日2017-05-19
分类号H01L33/06(20060101);H01L21/02(20060101);H01L33/00(20060101);H01L33/32(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人陈俊;陈岚
地址荷兰史基浦
入库时间 2022-08-23 11:37:01

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