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一种辐照环境下钨中氢滞留与脱附的多尺度模拟方法

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摘要

本发明公开了一种辐照环境下钨中氢滞留与脱附的多尺度模拟方法，包括以下步骤：使用二体碰撞近似方法，计算辐照产生的初级离位损伤及其空间分布；使用密度泛函理论方法，计算钨中辐照缺陷、氢的原子尺度物理参数，并推测较大缺陷团簇的物理参数；使用对象动力学蒙特卡洛方法，模拟辐照环境下，氢与辐照缺陷的长时间协同演化。本发明将DFT、BCA和OKMC方法结合，实现缺陷演化的顺序多尺度模拟，与现有的模拟方法相比，本发明在准确描述氢‑缺陷相互作用的同时，将模拟时间和空间尺度提升至小时/微米量级以上，能够方便的考察辐照离子能量、通量、温度等宏观参数对氢滞留/脱附的影响；本发明尤其适用于辐照环境下钨中氢滞留与脱附的长时间模拟。

著录项

公开/公告号CN109920487B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院合肥物质科学研究院;
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申请/专利号CN201910042212.9
发明设计人侯捷;孔祥山;李祥艳;吴学邦;刘长松;
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申请日2019-01-17
分类号G16C10/00(20190101);
代理机构34146 合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人洪玲
地址 230000 安徽省合肥市董铺岛
入库时间 2022-08-23 11:37:28

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1. 一种辐照环境下钨中氢滞留与脱附的多尺度模拟方法 [P] . 中国专利： CN109920487B . 2021.04.02
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