首页> 中国专利> 一种干法去除硅化物形成过程中多余金属的方法

一种干法去除硅化物形成过程中多余金属的方法

摘要

在先进的集成电路制造工艺中,通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中会产生多余金属。本发明采用等离子体干法刻蚀的方法去除残留金属,包括采用各向同性等离子体刻蚀,和采用各向异性等离子体刻蚀,使用等离子体干法刻蚀工艺大大缩短了硅片处理时间,提高了产能。

著录项

  • 公开/公告号CN100428421C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN02112151.6

  • 发明设计人 胡恒升;

    申请日2002-06-20

  • 分类号H01L21/3065(20060101);H01L21/324(20060101);

  • 代理机构31200 上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陶金龙;陆飞

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路177号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-08-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 授权公告日:20081022 终止日期:20140620 申请日:20020620

    专利权的终止

  • 2015-08-12

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3065 授权公告日:20081022 终止日期:20140620 申请日:20020620

    专利权的终止

  • 2008-10-22

    授权

    授权

  • 2008-10-22

    授权

    授权

  • 2006-10-04

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2006-10-04

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20060901 申请日:20020620

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2006-10-04

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 登记生效日:20060901 申请日:20020620

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2006-10-04

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

  • 2005-08-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-02-12

    公开

    公开

  • 2003-02-12

    公开

    公开

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