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非易失性存储器件和非易失性存储器件的擦除方法

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存储器单元阵列包括多个存储器块，每个存储器块具有在垂直于衬底的方向上堆叠在衬底上的多个存储器单元。行解码器电路通过多个字线连接到多个存储器单元，选择多个存储器块的第一存储器块。页面缓冲电路通过多个位线连接到多个存储器单元。在擦除操作期间，控制逻辑电路向衬底施加擦除电压，将具有第一字线电压和第二字线电压的字线电压输出到行解码器电路。在擦除操作期间，行解码器电路将第一字线电压施加到第一存储器块的每个字线，然后将第二字线电压施加到每个字线。

著录项

公开/公告号CN111554342B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-13

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN202010118703.X
发明设计人韩煜基;
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申请日2017-06-27
分类号G11C16/34(20060101);G11C16/16(20060101);G11C16/08(20060101);G11C16/04(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邵亚丽
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 11:38:49

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