首页> 中国专利> LaBiO₃薄膜、LaBiO₃陶瓷靶材及其制备方法

LaBiO₃薄膜、LaBiO₃陶瓷靶材及其制备方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明提供了LaBiO₃陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：A)将La₂O₃和Bi₂O₃混合后球磨，分级处理后得到初始混合物；B)将所述初始混合物放置于氧化铝垫片上后进行预烧结，冷却后得到初始烧结粉末；C)将所述初始烧结粉末与粘合剂混合后烘干进行制坯，得到陶瓷坯体；D)将所述陶瓷坯体放置于氧化铝垫片上再次烧结，冷却后得到LaBiO₃陶瓷靶材。本申请还提供了LaBiO₃陶瓷靶材及其应用。本发明LaBiO₃陶瓷靶材的制备简单，纯度高，致密度高，成分均匀，表面平整，具有较好的稳定性。

著录项

公开/公告号CN110845229B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-23

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学技术大学;
展开▼

申请/专利号CN201911181712.7
发明设计人翟晓芳;刘其鑫;张静娴;陆勤雯;赵爱迪;
展开▼

申请日2019-11-27
分类号C04B35/453(20060101);C04B35/50(20060101);C04B35/622(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人付丽
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2022-08-23 11:40:31

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. LaBiO₃薄膜、LaBiO₃陶瓷靶材及其制备方法 [P] . 中国专利： CN110845229B . 2021.04.23
2. 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层用陶瓷靶材制备方法 [P] . 中国专利： CN103014623A . 2013-04-03
3. NiSi TARGET MATERIAL, TARGET, PRODUCING METHOD FOR NiSi TARGET, NiSi THIN FILM, PRODUCING METHOD THEREFOR AND THIN FILM ELEMENT [P] . 日本专利： JP2001220666A . 2001-08-14

机译： NiSi靶材，靶材，NiSi靶材的制造方法，NiSi薄膜，其制备方法和薄膜元件
4. ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING A BARRIER LAYER DEPOSITED BY THE ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET [P] . 美国专利： US2014239295A1 . 2014-08-28

机译：基于氧化锌的溅射靶材，制备方法以及薄膜晶体管，其中包括由基于氧化锌的溅射靶材沉积的阻挡层
5. SINTERED COMPACT TARGET FOR DEPOSITING TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM OBTAINED THEREFROM [P] . 日本专利： JP2002275624A . 2002-09-25

机译：用于沉积透明导电薄膜的烧结致密靶材，制备方法和由此获得的透明导电薄膜

LaBiO3薄膜、LaBiO3陶瓷靶材及其制备方法

摘要

著录项

相似文献

LaBiO₃薄膜、LaBiO₃陶瓷靶材及其制备方法