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一种新型Zintl相热电材料及其制备方法

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本发明公开了一种新型Zintl相热电材料，其化学式为YbMg₂Sb₂，所述新型Zintl相热电材料为纯相的六方晶系结构，能带结构计算所得禁带宽度为1.23eV，所述YbMg₂Sb₂热电材料掺杂Na，化学式为Yb_1‑xNa_xMg₂Sb₂，0≤x≤0.025。通过Yb位Na掺杂，提高载流子浓度，同时降低晶格热导率，从而提高热电性能，在温度为773K时达到最高热电优值～0.6。本发明制得了一种新型Zintl相热电材料，利用Na掺杂同时优化电和热输运性能，是一种极具应用潜力的热电材料，本发明推动了Zintl相热电材料的发展。

著录项

公开/公告号CN110218888B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201910538567.7
发明设计人王超;周婷;姜晶;牛夷;
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申请日2019-06-20
分类号C22C1/04(20060101);C22C12/00(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人陈一鑫
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:44:06

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