首页> 中国专利> 一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法

一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明是一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法，该方法是在不破坏工件表面状态，且不影响工件正常工作的条件下，通过检测微型晶体晶格参数变化、获取被测工件最高温度的特种测温技术。对中子辐照后的掺氮3C‑SiC晶体进行微型化切割加工，再对微型晶体进行不同温度、不同时间的高温退火处理后测量其晶格参数，并绘制“温度—时间—晶格体积膨胀率”测温标定曲线。使用时，将微型晶体安装于被测工件表面，待工件正常工作结束后，将微型晶体温度传感器取出并测量其晶格参数，通过查找测温标定曲线中在该加热时间、晶格体积膨胀率下所对应的温度，即可得到被测点所经历的最高温度。进一步地，通过在重点测温区域安装多个微型晶体温度传感器，可得到工件表面最高温度场的测量结果。

著录项

公开/公告号CN109030544B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04

原文格式PDF
申请/专利权人中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;中航高科智能测控有限公司;北京瑞赛长城航空测控技术有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201810574177.0
发明设计人刘德峰;李欣;黄漫国;王燕山;张梅菊;高云端;梁晓波;
展开▼

申请日2018-06-06
分类号G01N25/00(20060101);G01N23/207(20060101);G01K7/02(20060101);
代理机构11008 中国航空专利中心;
代理人陈宏林
地址 100022 北京市朝阳区建国路126号瑞赛大厦
入库时间 2022-08-23 11:44:27

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法 [P] . 中国专利： CN109030544B . 2021.05.04
2. 一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法 [P] . 中国专利： CN109030544A . 2018-12-18
3. THERMOELECTRIC ELEMENTS AND DEVICES WITH ENHANCED MAXIMUM TEMPERATURE DIFFERENCES BASED ON SPATIALLY VARYING DISTRIBUTED TRANSPORT PROPERTIES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020160494A1 . 2020-08-06

机译：基于空间变化分布传输特性的具有最大最高温度差的热电元件和器件
4. Control of electrical cooking appliance based on gas content, involves using gas sensor that operates in varying partial cycles that differ according to temporal operation sequence or maximum attainable temperature [P] . 德国专利： DE102005011304A1 . 2006-09-21

机译：基于气体含量的电炊具控制包括使用气体传感器，该传感器以随时间顺序或最高可达到温度而变化的不同局部循环进行工作
5. A device for generation of a second variation of temperature on the basis of a first variation of temperature [P] . 法国专利： FR2983572B1 . 2014-01-24

机译：一种用于基于温度的第一变化产生温度的第二变化的设备