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公开/公告号CN107615491B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 美国休斯研究所;
申请/专利号CN201680029172.9
发明设计人 布莱恩·休斯;储荣明;
申请日2016-02-26
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构44281 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司;
代理人彭愿洁;彭家恩
地址 美国加利福尼亚州马里布市马里布峡谷路3011号
入库时间 2022-08-23 11:48:24
机译: 在蓝宝石衬底上制造氮化镓半导体层的五外延方法以及由此制造的氮化镓半导体结构
机译:蓝宝石衬底上氮化镓HEMT器件的高功率和线性性能
机译:蓝宝石衬底上GaN中的发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
机译:氮化镓蓝宝石上的氮化镓金属有机气相外延生长模式可提高基于InGaN的发光二极管的效率
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:在毫米波频率107.35-165GHz的蓝宝石表面反射数据集上半绝缘N-镓氮化物(GaN)
机译:关于当前一代商用氮化镓功率晶体管对功率变换器损耗的影响
机译:图案化蓝宝石衬底上的氮化镓发光体,可提高缺陷率和光提取效率