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受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善

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摘要

一种方法，包括在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。一种装置，包括集成电路衬底；在衬底上的第一金属化层级；第二金属化层级；以及设置在所述第一金属化层级和所述第二金属化层级之间的掩模，所述掩模包括具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运，其中，所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的每一个包括多条金属线，并且所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的至少一个的相邻金属线的一部分由空隙隔开。

著录项

公开/公告号CN107004601B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201480083536.2
发明设计人 K·J·辛格;A·M·迈尔斯;
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申请日2014-12-22
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人张伟;王英
地址美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:48:27

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外文文献

1. 受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善 [P] . 中国专利： CN107004601B . 2021.05.14
2. 受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善 [P] . 中国专利： CN107004601A . 2017-08-01
3. Via self alignment and shorting improvement with airgap integration capacitance benefit [P] . 美国专利： US10147639B2 . 2018-12-04

机译：通过自对准和短路改善以及气隙集成电容带来的好处
4. VIA SELF ALIGNMENT AND SHORTING IMPROVEMENT WITH AIRGAP INTEGRATION CAPACITANCE BENEFIT [P] . KR102327974B1 . 2021-11-17

机译：通过自对准和气隙集成电容效益的短路改进
5. Solving via-misalignment issues in interconnect structures having air-gaps [P] . 美国专利： US7868455B2 . 2011-01-11

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