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E-FUSE存储阵列、E-FUSE以及E-FUSE操作方法

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本发明提供一种E‑FUSE、E‑FUSE存储阵列以及E‑FUSE操作方法，属于集成电路技术领域，包括：按照行方向排列的N条字线、按照行方向排列的N条编程信号线、按照列方向排列的N条位线、按照列方向排列的N条源线以及N行*N列成矩阵排列的存储单元，存储单元包括栅极、漏极以及源极，N为正整数；其中，存储单元为PMOS型等效编程二极管电路；位于同一行的存储单元的栅极连接至同一字线，位于同一行的存储单元的N阱连接至同一编程信号线，位于同一列的每个存储单元的漏极分别通过熔丝电阻连接至同一源线，位于同一列的存储单元的源极连接至同一位线。本发明的有益效果：无需需要使用Deep NW里面小尺寸的NMOS编程选择驱动管，E‑FUSE存储单元版图面积小。

著录项

  • 公开/公告号CN108766499B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201810388020.9

  • 发明设计人 任永旭;金建明;顾明;

    申请日2018-04-26

  • 分类号G11C17/16(20060101);G11C17/18(20060101);

  • 代理机构31272 上海申新律师事务所;

  • 代理人俞涤炯

  • 地址 201200 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 11:49:46

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