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提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法

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本发明提供了一种提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法，涉及水稻育种领域，该提高镉胁迫下水稻种子发芽率的方法，包括以下步骤：提供经挑选、干燥和消毒杀菌后的水稻种子，先用稀硝酸浸泡培养，然后再用GABA溶液浸泡培养，完成浸种。利用该方法能够缓解现有的镉金属污染农田中水稻种子发芽率低以及水稻产量低的技术问题技术问题，达到提高水稻种子在镉环境下发芽率的目的。

著录项

公开/公告号CN109863855B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25

原文格式PDF
申请/专利权人中国计量大学;
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申请/专利号CN201910197203.7
发明设计人贺希格都楞;朱诚;万家悦;丁艳菲;王飞娟;江琼;陈志祥;
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申请日2019-03-15
分类号A01C1/00(20060101);A01C1/08(20060101);
代理机构11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘兰
地址 310000 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号
入库时间 2022-08-23 11:50:27

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