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半导体发光元件及其制法,集成半导体发光元件及其制法,图像显示装置及其制法,照明装置及其制法

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摘要

在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。

著录项

公开/公告号CN100442550C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人索尼株式会社;
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申请/专利号CN200480000358.9
发明设计人奥山浩之;土居正人;琵琶刚志;铃木淳;大畑丰治;
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申请日2004-02-19
分类号H01L33/00(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:01:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-04-27

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20081210 终止日期:20100219 申请日:20040219

专利权的终止
2008-12-10

授权

授权
2006-01-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-16

公开

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