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监测背照式电负性强度的测试结构和工艺集成方法

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摘要

本发明公开了一种监测背照式电负性强度的测试结构，包括：和像素区的感光掺杂区的工艺条件相同的第一电极区，第一电极区的背面形成有包括电负性材料层的第一钝化层；第一钝化层的背面形成有背面金属层，由第一电极区、第一钝化层和背面的背面金属层叠加形成监测电容；第一电极区连接到第一正面衬垫，第一正面衬垫连接到第一背面衬垫；第一电极区背面的背面金属层的背面形成有第二背面衬垫；第一和第二背面衬垫形成监测电容的两个极板的引出结构。本发明还公开了一种监测背照式电负性强度的测试结构的工艺集成方法。本发明能实现背照式图像传感器的电负性强度的在线持续监测，能有效缩短测试周期和反馈周期，减少硅片的消耗，加快研发进度。

著录项

公开/公告号CN110299372B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力微电子有限公司;
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申请/专利号CN201910476373.9
发明设计人田志;张磊;陈昊瑜;邵华;
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申请日2019-06-03
分类号H01L27/146(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人郭四华
地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 11:57:55

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